W66BP6NBUAFJ TR
Winbond Electronics
Deutsch
Artikelnummer: | W66BP6NBUAFJ TR |
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Hersteller / Marke: | Winbond Electronics Corporation |
Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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2500+ | $4.4759 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 18ns |
Spannungsversorgung | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Supplier Device-Gehäuse | 200-WFBGA (10x14.5) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 200-WFBGA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 2Gbit |
Speicherorganisation | 128M x 16 |
Speicherschnittstelle | LVSTL_11 |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 1.6 GHz |
Grundproduktnummer | W66BP6 |
Zugriffszeit | 3.5 ns |
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
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IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() W66BP6NBUAFJ TRWinbond Electronics |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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